臺北2021年1月6日 /美通社/ -- 隨5G、物聯網、電動車蓬勃發展，對于低功耗要求越來越高，功率半導體成為這些產業勢不可擋的必備組件。宜特(TWSE: 3289)晶圓后端工藝廠的晶圓減薄能力也隨之精進。宜特今(1/6)宣布，晶圓后端工藝廠（竹科二廠），通過客戶肯定，成功開發晶圓減薄達1.5mil(38um)技術，技術門坎大突破。同時，為更專注服務國際客戶，即日起成立宜錦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。
使用控片測得2mil、1.5 mil、1.5 mil優化條件后的損壞層厚度及TEM分析
宜特指出，功率半導體進行“減薄”，一直都是改善工藝，使得功率組件實現“低功耗、低輸入阻抗”最直接有效的方式。晶圓減薄除了有效減少后續封裝材料體積外，還可因降低RDS(on)（導通阻抗）進而減少熱能累積效應，以增加芯片的使用壽命。
但如何在減薄工藝中降低晶圓厚度，又同時兼顧晶圓強度，避免破片率居高不下之風險自晶圓減薄最大的風險。
為解決此風險，iST宜特領先業界，已完成2mil(50um)、1.5mil(38um)，甚至到0.4mil(10um)減薄技術開發，iST宜特更藉由特殊的優化工藝，在降低晶圓厚度的同時，也兼顧晶圓強度，可將研磨損傷層(Damage layer)降到最低。
關于宜特科技
始創于1994年，iST宜特從 IC 線路除錯及修改起家，逐年拓展新服務，包括失效分析、可靠性驗證、材料分析等，建構完整驗證與分析工程平臺與全方位服務。客群囊括電子產業上游 IC 設計至中下游成品端，并建置車用電子驗證平臺、高速傳輸信號測試。宜特秉持著提供客戶完整解決方案的宗旨，從驗證領域，跨入“晶圓后端工藝整合”量產服務。更多訊息請上官網 https://www.istgroup.com
