中微第二代等離子體刻蝕設備首次在中國試運安裝；用于32納米至28納米芯片加工

上海和舊金山2012年3月20日電 /美通社亞洲/ -- 中微半導體設備有限公司（以下簡稱“中微”）于 SEMICON China 展會期間宣布，中微第二代等離子體刻蝕設備 Primo AD-RIE? 正式裝配國內技術先進的集成電路芯片代工企業中芯國際，用于32納米至28納米及更先進的芯片加工。這是繼去年 SEMICON West 展會期間 Primo AD-RIE? 正式發布以來，中微 Primo AD-RIE? 設備首次進入中國大陸客戶生產線。目前，中微第一代等離子體刻蝕設備 Primo D-RIE? 已在中國建立了穩固的市場地位。Primo AD-RIE? 設備也已進入臺灣客戶的生產線。

到目前為止，中微的刻蝕設備已進入11家客戶的14條芯片生產線，客戶涵蓋中國大陸、臺灣、新加坡和南韓等地的整合器件制造商（IDM）、晶圓代工廠、芯片封裝廠等。這其中也包括中微近日發布的 TSV 硅通孔刻蝕設備 Primo TSV200E?，為中微開辟了新的市場。綜合來看，中微的設備均擁有生產率高、工藝性能出色、操作簡便、成本競爭優勢明顯等優點。隨著亞洲地區對半導體設備的需求日漸增長，中微不斷拓展產品線使之日趨多元化，從而邁入了快速發展的軌道，2011年中微的銷售額較2010年增長了兩倍多。同時，為了滿足企業自身發展的需求，中微位于上海的二期大樓也將竣工，屆時將增加10,000平方米的生產基地。

Primo AD-RIE? 設備是中微第二代甚高頻去耦合等離子體刻蝕設備，可滿足多種關鍵生產工藝要求。繼第一代已被業界廣泛認可的 Primo D-RIE? 之后，Primo AD-RIE? 采用了更多技術創新點，以解決生產復雜的22納米至14納米芯片所帶來的挑戰，同時確保芯片加工的質量。這些技術創新點包括：可切換頻率的射頻系統保證了刻蝕的靈活性和可重復性，更好的調諧能力確保了超精細關鍵尺寸的均勻度和可重復性，改良的反應室室內材料減少了工藝缺陷并降低了成本消耗。

“我們很高興中微在中國的第一臺 Primo AD-RIE? 設備能進入國內領先的晶圓代工廠，”中微副總裁兼刻蝕產品事業群總經理朱新萍說道，“與中微第一代產品類似，Primo AD-RIE? 設備的單位投資產出率比市場上其他同類設備提高了30%以上，占地面積較其他同類設備減少了30%以上，并能使加工晶圓的成本降低20%至40%，Primo AD-RIE? 設備已成為市場上生產率較高、單位投資產出率較高的先進刻蝕設備，用于各種關鍵及通常的工藝應用?！?/p>

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公司致力于為全球芯片生產廠商和相關高科技領域的世界領先公司提供一系列高端的芯片生產設備。公司擁有業內經驗最豐富的管理和技術專家，已形成強有力的市場驅動力，持續拓展產品線以滿足各種新興的技術需求。客戶正是運用了中微先進的刻蝕設備和技術，制造了電子產品中最為關鍵的芯片器件。中微的高端設備在65、45、32、28、22納米及以下的芯片生產領域實現了技術創新和生產力提高的最優化。中微公司以亞洲為基地，總部位于中國，其研發、制造、銷售和客戶服務機構遍布日本、南韓、新加坡、中國臺灣等地。

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